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• Diseño Compacto y Ligero: Fácil integración en cualquier configuración de hardware gracias a su tamaño compacto y peso reducido CARACTERÍSTICAS FISICAS • Dimensiones: Ancho 7
5 mm (ancho) x 3
• Potencia: 5V
• Soporta temperaturas de operación amplias (-20°C a 60°C en descarga)
• Electrodomésticos
IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3 110v • Diseño Compacto y Ligero:El transistor MOSFET IRF510N es un componente electrnico de potencia ideal para aplicaciones de conmutacin y amplificacin. Es ampliamente utilizado en circuitos electrnicos por su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes, con una resistencia de encendido baja y alta eficiencia. ESPECIFICACIONES TCNICAS Tipo: N Channel MOSFET Tensin Mxima de Drenaje Fuente (VDS): 100 V Corriente Mxima de Drenaje (ID): 33 A Potencia Mxima Disipada: 43 W
US$ 27000.00
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